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近期，在DRAM架构路线选择的关键节点上，美光与长鑫科技围绕4F²技术展开了一场公开的观点交锋。
美光明确表示将跳过4F²、坚持6F²并直接转向3D DRAM，而长鑫科技则以垂直环绕栅极（VSG）晶体管技术和超过300个公开专利家族回应，强调不同架构选择各有其成本曲线，均值得理解与尊重。
美光：4F²缺乏可行微缩路径，部分讨论是"烟雾弹" 当地时间10月21日，在美光举行的技术路线图网络研讨会上，美光总裁兼首席技术与产品官斯科特·德博尔（Scott DeBoer）公开表示，美光将坚持6F²技术路线并直接转向3D DRAM开发。
DeBoer指出，美光已对4F²架构研究超过20年，也曾制造原型产品进行比较，但由于该路线面临复杂度、成本及进一步微缩的限制，最终选择不予推进，甚至直言4F²的部分讨论仅是“烟雾弹”。
美光认为，决定DRAM位元密度理论极限的关键在于电容器间距与尺寸，而非晶体管的布局方式。
换言之，即便通过改变晶体管布局将面积系数从6降至4，若电容器本身的微缩空间受限，整体密度提升仍将遭遇物理天花板。
长鑫科技：位元密度是复杂系统工程，各路线均有成本曲线 面对美光对于4F²技术路线的质疑，长鑫科技于10月31日下午公布了一份投资者关系活动记录表中对此回应称，公司下一代也就是第六代工艺技术平台将基于4F²架构，该工艺技术平台已完成工程样片验证。
4F²架构通过更紧凑的布局缩小存储单元面积、提高单位面积存储密度。
采用4F²架构的首代产品今年年底送样后，该架构的规模量产会根据客户验证进度、市场需求情况推进。
长鑫科技指出，从物理规律看，DRAM位密度提升确实是一个复杂的系统工程，涉及字线、位线以及电容结构的多重空间博弈。
相关说法反映了行业在先进制程微缩阶段所面临的普遍物理挑战。
在特定技术节点下，不同架构在工艺集成复杂度、光刻次数、以及热预算等方面呈现出不同的成本效益曲线。
各晶圆厂基于技术历史、现有产线、专利组合与资本支出做出不同选择，均值得理解与尊重。
虽然长鑫科技的回应未正面反驳美光对4F²电容器微缩的质疑，但也清晰传达了自身立场，即架构选择并非单纯的物理极限问题，而是技术积累、产线条件与商业考量的综合结果。
同时，根据长鑫科技公布的资料显示，其4F²架构采用垂直环绕栅极（Vertical Surrounded Gate, VSG）晶体管技术。
公司自成立以来即持续投入4F²研发，目前已拥有超过300个公开专利家族。
该架构通过改变晶胞布局将面积系数从6降至4，使其能在深紫外光（DUV）光刻技术可达到的尺寸下提升芯片密度——这一点尤为关键，意味着长鑫科技可在不依赖极紫外光（EUV）设备的条件下推进密度提升。
在产品规划方面，长鑫科技计划于年底前后推出结合4F²与混合键合（Hybrid Bonding）技术的DDR5 RDIMM伺服器模组，后续量产将视客户验证与市场需求推进。
相关分析指出，鉴于伺服器模组对可靠度的极高要求，首代产品将主要用于技术验证。
三星、SK海力士持续投入4F²，路线分化明显 尽管美光选择跳过4F² DRAM，继续沿用传统6F²架构推进制程微缩，并将晶圆键合和3D DRAM作为未来的重要发展方向，但三星电子与SK海力士仍在积极推进4F² DRAM研发，全球主要存储厂商在下一代DRAM技术路线上的分化日益明显。
三星在ISSCC 2026上发表了采用垂直沟道晶体管（VCT）和晶圆对晶圆混合铜键合技术的16Gb 4F² DRAM原型论文。
该原型采用Cell-on-Peripheral（COP）架构，将外围电路与存储单元阵列进行垂直整合，并已在10nm级DRAM工艺下成功实现读写操作。
据韩国媒体报道，三星计划在10a、10b、10c三个制程节点持续采用4F²技术，至10d节点再转向3D DRAM。
2026年10月，三星DS部门CTO宋载赫也再次公开确认，公司正在持续推进4F² DRAM研发。
SK海力士则选择了垂直栅极（Vertical Gate，VG）技术路线，并结合Cell-on-Peripheral（PUC）架构推进4F² DRAM研发。
其核心技术包括共享背栅（BG）结构和位线屏蔽（BLS）技术，分别用于改善晶体管阈值电压控制和降低相邻位线之间的耦合噪声。
2026年7月，SK海力士官方披露，其4F² VG DRAM阵列已经成功实现读写操作，验证了该架构的可行性。
此外，业界还有消息称，SK海力士计划于2026年12月的IEDM会议上发表无电容4F² DRAM相关研究成果，但具体论文信息仍有待确认。
值得注意的是，SK海力士并未将4F²视为唯一发展方向。
公司在2026年第三季度财报电话会议上表示，将尽可能延长现有6F²架构的生命周期，并根据技术成熟度、制造成本和产品需求，适时向4F²或3D DRAM平台过渡。
小结：
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